Globalwafer luncurkan wafer silikon karbida 8 inci pada akhir 2024

Wafer silikon karbida 8 inci diharapkan dapat diproduki pada akhir 2024 oleh GlobalWafers Co. yang berbasis di Taiwan.

 

Jakarta (Indonesia Window) – Pemasok wafer silikon GlobalWafers Co. yang berbasis di Taiwan, mengatakan perusahaannya telah secara mandiri mengembangkan teknologi yang diperlukan untuk memproduksi wafer silikon karbida (SiC) 8 inci berkualitas tinggi dan berharap dapat meluncurkan produksi skala kecil pada kuartal keempat tahun 2024.

Hal tersebut disampaikan oleh Kepala GlobalWafers Co. Doris Hsu pada Kamis lalu (26/10) di stan perusahaan tersebut di Pameran Optoelektronik Internasional ke-31 (OPTO Taiwan), yang dimulai pada 25 Oktober di Taipei.

GlobalWafers Co. mengatakan pertumbuhan kristal SiC untuk membuat wafer SiC menghadirkan tantangan karena kebutuhan yang semakin tinggi di lingkungan tertutup bersuhu sangat tinggi. Menghadapi kesulitan tersebut, perusahaan itu secara mandiri merancang dan mengembangkan teknologi – penumbuh metode transportasi uap fisik (PVT) khusus SiC 8 inchi – untuk mengurangi biaya pertumbuhan kristal sekaligus mencapai kontrol kualitas material yang lebih tinggi.

Meskipun telah lama dianggap sebagai bahan semikonduktor yang potensial, silikon karbida baru mulai dianggap layak karena perkembangan teknologi baru yang mengatasi tantangan produksi terkait.

SiC memiliki beberapa karakteristik yang menjadikannya senyawa yang menjanjikan dan alternatif pengganti silikon yang digunakan secara tradisional. Ini adalah bahan semikonduktor ‘celah pita lebar’ (lebih lebar dari silikon), tahan terhadap suhu tinggi dan oleh karena itu merupakan pilihan yang lebih baik untuk aplikasi daya tinggi, suhu tinggi, dan frekuensi tinggi.

Hsu mengatakan meskipun wafer SiC 6 inci saat ini menjadi produk utama, pengembangan wafer 8 inci “lebih cepat dari perkiraannya dua tahun lalu.”

Dia memperkirakan produksi akan meningkat pada kuartal keempat tahun 2024 dan semakin meningkat pada tahun 2025, dengan produksi substrat (wafer) berukuran 8 inci yang melampaui produksi substrat berukuran 6 inci pada tahun 2026.

Pelanggan yang menantikan perkembangan ini sebagian besar adalah industri otomotif dan produsen perangkat tegangan tinggi dan listrik, tambah Hsu.

Ketika ditanya apakah produksi wafer SiC sebagian besar akan dilakukan di Taiwan atau di beberapa lokasi, dia mengatakan saat ini produksi front-end (pertumbuhan dan pemrosesan kristal) berlokasi di Taiwan dan produksi back-end (proses epitaksi) di Amerika Serikat.

Namun, dalam jangka panjang, dia yakin produksi akan semakin menurun di dua lokasi ini, dengan banyak negara menjadi lokasi pemrosesan, termasuk di Jepang atau Eropa, kata Hsu.

“Ketika produksi meningkat, pelanggan akan mempertimbangkan kemungkinan yang ada, artinya mereka tidak ingin konsentrasi berlebihan,” tambahnya, seraya menambahkan bahwa penelitian dan pengembangan perusahaan akan tetap eksklusif di Taiwan.

Hsu mengatakan saat ini lebih sulit bagi perusahaan Taiwan untuk mengakuisisi perusahaan asing, karena meningkatnya ketegangan geopolitik dan sulitnya status internasional Taiwan membuat banyak orang takut perusahaan Taiwan suatu hari nanti akan menjadi perusahaan China.

Hal tersebut menjawab pertanyaan tentang kegagalan upaya Globalwafers Co. untuk mengambil alih pemasok chip Jerman Siltronic pada tahun 2022.

Selama 20 tahun terakhir, sekitar 80 persen pertumbuhan Globalwafer berasal dari merger dan akuisisi, dan hanya 20 persen berasal dari pertumbuhan organik. Dari 18 pabrik perusahaan di sembilan negara, hanya tiga yang dibangun sendiri, kata Hsu.

Globalwafers telah mulai membangun pabriknya sendiri karena tidak hanya mendapatkan subsidi dari negara tempat pabrik tersebut berlokasi tetapi juga menciptakan “keuntungan ESG (environmental, social, and governance)” mengacu pada rendahnya emisi karbon yang diperlukan untuk transportasi jika pabrik lebih dekat dengan klien, jelas Hsu.

Sumber: China News Agency (CNA)

Laporan: Redaksi